本研究利用动态溅射技术在Si基底上制备了CoZrNb薄膜，并研究了其在GHz范围内的磁性能。

结果表明，CoZrNb薄膜具有良好的高频磁性能，与其他常用材料相比具有更高的饱和磁化强度和更低的磁滞回线。

此外，我们还制备了一种具有双层结构的Si基集成电感器，其中上层为CoZrNb/Al2O3双层薄膜，下层为SiO2介质和金属衬底。

通过测量电感器的S参数，发现CoZrNb薄膜可以在GHz范围内提高大电流电感器的性能，达到更高的电感值和更低的损耗。

因此，这种动态溅射CoZrNb薄膜可以作为一种有潜力的材料用于高频电子器件中的磁性元件。

在本研究中，我们还研究了CoZrNb薄膜的微观结构和磁性能之间的关系。

通过X射线衍射和透射电子显微镜观察，发现CoZrNb薄膜具有fcc结构，并且具有优异的结晶性和平坦的表面形貌。

同时，利用霍尔效应测量了CoZrNb薄膜的磁滞回线和磁化率，证实了其具有优异的磁性能。

最后，我们也考虑了CoZrNb薄膜可能面临的一些问题和挑战，如薄膜厚度的影响、磁性能的稳定性和可靠性等。

这些问题需要进一步深入的研究，以确保CoZrNb薄膜可以稳定地应用于 GHz硅集成平面电感器等高频电子器件中。

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